פוטוניקה מבוססת סיליקון נחשבת כיום לפלטפורמת הפוטוניקה מהדור הבא לתקשורת משובצת.עם זאת, הפיתוח של מאפננים אופטיים קומפקטיים והספק נמוך נותר אתגר.כאן אנו מדווחים על אפקט אלקטרו-אופטי ענק בבארות קוונטיות מצמדות Ge/SiGe.אפקט מבטיח זה מבוסס על אפקט Stark הקוונטי החריג עקב הכליאה הנפרדת של אלקטרונים וחורים בבארות קוונטיות מצמדות Ge/SiGe.ניתן להשתמש בתופעה זו כדי לשפר משמעותית את הביצועים של מאפננים אור בהשוואה לגישות הסטנדרטיות שפותחו עד כה בפוטוניקת סיליקון.מדדנו שינויים במקדם השבירה עד 2.3 × 10-3 במתח הטיה של 1.5 V עם יעילות אפנון תואמת VπLπ של 0.046 Vcm.הדגמה זו סוללת את הדרך לפיתוח של אפנון פאזה מהירים יעילים המבוססים על מערכות חומר Ge/SiGe.
זמן פרסום: יוני-06-2023